品佳推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET,可为系统实现功率密度和性能上的突破

2018年04月10日 09:04    eechina
关键词: 1200V , 碳化硅 , SiC , MOSFET
大联大旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于娱乐国际平台送彩金转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。娱乐国际平台送彩金转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处,如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量,便于打造更小、更轻的系统,从而减少运输工作量,并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由娱乐国际平台送彩金转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验,基于先进的沟槽半导体工艺,代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装,4引脚封装有一个额外的源极连接端子(Kelvin),作为门极驱动的信号管脚,以消除由于源极电感引起的压降的影响,这可以进一步降低开关损耗,特别是在更高开关频率时。

另外,大联大品佳代理的Infineon还推出基于SiC MOSFET技术的1200V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接,有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计,每种封装的模块均有11mΩ和23mΩ的RDS(ON)额定值选项。

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图示1-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要产品

特色

Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用沟槽栅技术,兼具可靠性与性能优势,在动态损耗方面树立了新标杆,相比1200V硅(Si)IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压。它们将4V基准阈值额定电压(Vth)与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括:低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。

这些晶体管能像IGBT一样得到控制,在发生故障时得以安全关闭,此外,Infineon碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度,因此可以轻松优化EMC性能。

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图示2-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的产品规格

应用

当前针对光伏逆变器、不间断娱乐国际平台送彩金(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进,此后可将其范围扩大到工业变频器。

更多的产品及方案信息,请洽大联大品佳集团技术人员:Infineon@sac.com.hk
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